http://techon.nikkeibp.co.jp/article/NEWS/20081220/163171/?ref=ML
米IBM Corp.は2008年12月19日,炭素材料の一種であるグラフェンを用いたFET(field effect transistor)で,GHz台の周波数での動作を確認したと発表した(発表資料)。
ゲート長が500nmの場合,遮断周波数は3GHzだが,ゲート長を150nmに縮めると遮断周波数は26GHzにあがる。論文では,得られたデータの範 囲で,遮断周波数がゲート長の2乗に反比例することを確認したとしており,それをゲート長50nmに当てはめると,遮断周波数は数百GHz台とTHzに近 づく。
だって。
実現したらすごいな。道のり長そうだけど。
米IBM Corp.は2008年12月19日,炭素材料の一種であるグラフェンを用いたFET(field effect transistor)で,GHz台の周波数での動作を確認したと発表した(発表資料)。
ゲート長が500nmの場合,遮断周波数は3GHzだが,ゲート長を150nmに縮めると遮断周波数は26GHzにあがる。論文では,得られたデータの範 囲で,遮断周波数がゲート長の2乗に反比例することを確認したとしており,それをゲート長50nmに当てはめると,遮断周波数は数百GHz台とTHzに近 づく。
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